1.0Amp 1000V universelle Diode des Silikon-Gleichrichter-1N4007

Gleichrichterdiode-universelle axiale Paket-Art 1A 1000V Silikon-1N4007

 

1N4001-1N4007 DO-41 Datasheet.pdf

 

 

 

 

 

• Das Plastikpaket trägt Versicherer-Laborentflammbarkeits-Klassifikation 94V-0
• Chip des unbelasteten Übergangs
• Niedriges Rückdurchsickern
• Hohe Vorwärtsüberspannungsfähigkeit
• Löten der hohen Temperatur garantiert

 

 

 

 

• Fall: Geformter Plastikkörper
• Anschlüsse: Lötmittel überzog, solderable pro MIL-STD-750, Methoden-Polarität 2026: Polaritätssymbol, das auf Körper markiert
• Montageposition: Irgendwelche
• Gewicht: 0,0088 Unze, 0,25 Gramm

 

 

 

 

 

Bewertungen bei 25 umgebender Temperatur C wenn nicht anders angegeben. Induktive Belastung des einphasigen Halbwellen-60Hz, widerstrebendes oder, für kapazitiven Lastsstrom setzen durch 20% herab.

 

 

Parameter		SYMBOLE	1N4001	1N4002	1N4003	1N4004	1N4005	1N4006	1N4007	EINHEITEN
Maximale sich wiederholende Höchstsperrspannung		VRRM	50	100	200	400	600	800	1000	Volt
Maximale Effektivwert-Spannung		VRMS	35	70	140	280	420	560	700	Volt
Maximale Blockierspannung DCs		VDC	50	100	200	400	600	800	1000	Volt
Maximaler durchschnittlicher Vorwärtsgleichrichter-Strom an TL=100°C		WENN (HANDELS)	1							Ampere
Höchstvorwärtsüberspannung, halbe Sinus-Welle 8.3msSingle gelegt auf bewerteter Last		IFSM	30							Ampere
Maximale blitzschnelle Vorwärtsspannung an 1A		VF	1,1							Volt
Maximaler DC-Rückseiten-Strom an bewerteter Blockierspannung DCs	TA=25°C	IR	10							MA
	TA=125°C		500

 

 

 

Das heiße Verkaufsprodukt von Huixin schließen ein

 

Universelle Gleichrichterdiode

 

Schnelle Wiederaufnahme-Gleichrichterdiode

 

Schottky-Sperren-Gleichrichterdiode

 

 

Niedrige Diode VF Schottky

 

 

Fernsehvorübergehende Spannungs-entstör-Diode

 

Hochgeschwindigkeitsschaltdiode

 

Silikon-Zenerdiode

 

Silikon-Brückengleichrichter

 

 

Esd-entstör-Diode

 

Transistor

 

 

Niederspannung Mosfet