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Herkunftsort: | CHINA |
---|---|
Markenname: | Huixin |
Zertifizierung: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
Modellnummer: | BC3400 |
Min Bestellmenge: | 3000pcs |
Preis: | Negotiable |
Verpackung Informationen: | 3000pcs/Spule |
Lieferzeit: | 2-4weeks |
Zahlungsbedingungen: | T/T, Paypal, Bargeld |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1 Milliarde Stücke Monat |
Art: | MOSFET Kanal BC3400 N | Abfluss-Quellspannung: | 30v |
---|---|---|---|
Ununterbrochener Abfluss-Strom: | 5.8A | MPQ: | 3000pcs |
Beispielzeit: | 5-7 Tage | Probe: | frei |
Vorbereitungs- und Anlaufzeit: | 2-4weeks | Bleifreier Status: | RoHS |
Markieren: | Niederspannung 5.8A Mosfet,Niederspannung 350mW Mosfet,Plastik BC3400 kapselt MOSFETS ein |
Parameter | Symbol | Wert | Einheit | ||||||||||||||||||||||||||||
Abfluss-Quellspannung | VDS | 30 | V | ||||||||||||||||||||||||||||
Tor-Quellspannung | VGS | ±12 | V | ||||||||||||||||||||||||||||
Ununterbrochener Abfluss-Strom | Identifikation | 5,8 | |||||||||||||||||||||||||||||
Abfluss Gegenwärtig-pulsiert (Anmerkung 1) | IDM | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||
Verlustleistung | PD | 350 | mW | ||||||||||||||||||||||||||||
Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem (Anmerkung 2) | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||
Grenzschichttemperatur | TJ | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||
Lagertemperatur | TSTG | -55~+150 | ℃ |
Parameter | Symbol | Testbedingung | Minute | Art | Maximal | Einheiten | ||||||||||||||||||||||||
Weg von den Eigenschaften | ||||||||||||||||||||||||||||||
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | V (BR) DSS | VGS = 0V, IDENTIFIKATION =250µA | 30 | V | ||||||||||||||||||||||||||
Nulltorspannungs-Abflussstrom | IDSS | VDS =24V, VGS = 0V | 1 | µA | ||||||||||||||||||||||||||
Tor-Quelldurchsickernstrom | IGSS | VGS =±12V, VDS = 0V | ±100 | Na | ||||||||||||||||||||||||||
Auf Eigenschaften | ||||||||||||||||||||||||||||||
Abfluss-Quellaufwiderstand (Anmerkung 3) | RDS (an) | VGS =10V, IDENTIFIKATION =5.8A | 35 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||
VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =5A | 40 | mΩ | ||||||||||||||||||||||||||||
Vorwärts-tranconductance | gFS | VDS =5V, IDENTIFIKATION =5A | 8 | S | ||||||||||||||||||||||||||
Torschwellenspannung | VGS (Th) | VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250ΜA | 0,7 | 1,4 | V | |||||||||||||||||||||||||
Dynamische Eigenschaften (Anmerkung 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Eingegebene Kapazitanz | Ciss | VDS =15V, VGS =0V, f =1MHz | 1050 | PF | ||||||||||||||||||||||||||
Ausgangskapazität | Coss | 99 | PF | |||||||||||||||||||||||||||
Rückübergangskapazitanz | Crss | 77 | PF | |||||||||||||||||||||||||||
Torwiderstand | Rg | VDS =0V, VGS =0V, f =1MHz | 3,6 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||
Schaltcharakteristik (Anmerkung 4,5) | ||||||||||||||||||||||||||||||
Einschaltverzögerungszeit | TD (an) | VGS =10V, VDS =15V, RL =2.7Ω, RGEN =3Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||
Drehung-auf Anstiegszeit | tr | 7 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
Abschaltverzögerungszeit | TD (weg) | 40 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
Drehungs-wegabfallzeit | tf | 6 | ns | |||||||||||||||||||||||||||
Abfluss-Quelldiodenkennlinien und Maximalleistungen | ||||||||||||||||||||||||||||||
Diodenvorwärtsspannung (Anmerkung 3) | VSD | IST =1A, VGS =0V | 1 | V |