China schnelle WiederaufnahmeGleichrichterdiode fabricant

Große Klugheit Huixin-Innovationen unbegrenzt 

German
Fordern Sie ein Zitat
Produkte

PlastikNiederspannung Mosfet n-Kanal-BC3400 350mW 5.8A

small.img.alt
small.img.alt Plastic N Channel BC3400 350mW 5.8A Low Voltage Mosfet Plastic N Channel BC3400 350mW 5.8A Low Voltage Mosfet small.img.alt Plastic N Channel BC3400 350mW 5.8A Low Voltage Mosfet Plastic N Channel BC3400 350mW 5.8A Low Voltage Mosfet
Grundlegende Informationen
Herkunftsort: CHINA
Markenname: Huixin
Zertifizierung: ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL
Modellnummer: BC3400
Min Bestellmenge: 3000pcs
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: 3000pcs/Spule
Lieferzeit: 2-4weeks
Zahlungsbedingungen: T/T, Paypal, Bargeld
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1 Milliarde Stücke Monat
Bestpreis Kontakt
Art: MOSFET Kanal BC3400 N Abfluss-Quellspannung: 30v
Ununterbrochener Abfluss-Strom: 5.8A MPQ: 3000pcs
Beispielzeit: 5-7 Tage Probe: frei
Vorbereitungs- und Anlaufzeit: 2-4weeks Bleifreier Status: RoHS
Markieren:

Niederspannung 5.8A Mosfet

,

Niederspannung 350mW Mosfet

,

Plastik BC3400 kapselt MOSFETS ein

 
 
SOT-23 Plastik-kapseln MOSFETS ein

Anreicherungstyp-Feld-Effekt-Transistor des N-Kanal-BC3400
 
 
BC3400 SOT-23 Datasheet.pdf
 
 
 
EIGENSCHAFTEN
 
 
Hoher dichter Zellentwurf für extrem - niedriges RDS (AN)
Außergewöhnlicher Aufwiderstand und maximale gegenwärtige Fähigkeit DCs
 
 
Maximalleistungen (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
 
Parameter Symbol Wert Einheit
Abfluss-Quellspannung VDS 30 V
Tor-Quellspannung VGS ±12 V
Ununterbrochener Abfluss-Strom Identifikation 5,8
Abfluss Gegenwärtig-pulsiert (Anmerkung 1) IDM 30
Verlustleistung PD 350 mW
Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem (Anmerkung 2) RθJA 357 ℃/W
Grenzschichttemperatur TJ 150 ℃
Lagertemperatur TSTG -55~+150 ℃
 
Elektrische Eigenschaften (Ta=25℃ wenn nicht anders vermerkt)
 
Parameter Symbol Testbedingung Minute Art Maximal Einheiten
Weg von den Eigenschaften
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung V (BR) DSS VGS = 0V, IDENTIFIKATION =250µA 30     V
Nulltorspannungs-Abflussstrom IDSS VDS =24V, VGS = 0V     1 µA
Tor-Quelldurchsickernstrom IGSS VGS =±12V, VDS = 0V     ±100 Na
Auf Eigenschaften
Abfluss-Quellaufwiderstand (Anmerkung 3) RDS (an) VGS =10V, IDENTIFIKATION =5.8A     35 mΩ
VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =5A     40 mΩ
Vorwärts-tranconductance gFS VDS =5V, IDENTIFIKATION =5A 8     S
Torschwellenspannung VGS (Th) VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250ΜA 0,7   1,4 V
Dynamische Eigenschaften (Anmerkung 4,5)
Eingegebene Kapazitanz Ciss VDS =15V, VGS =0V, f =1MHz     1050 PF
Ausgangskapazität Coss   99   PF
Rückübergangskapazitanz Crss   77   PF
Torwiderstand Rg VDS =0V, VGS =0V, f =1MHz     3,6 Ω
Schaltcharakteristik (Anmerkung 4,5)
Einschaltverzögerungszeit TD (an) VGS =10V, VDS =15V, RL =2.7Ω, RGEN =3Ω     5 ns
Drehung-auf Anstiegszeit tr     7 ns
Abschaltverzögerungszeit TD (weg)     40 ns
Drehungs-wegabfallzeit tf     6 ns
Abfluss-Quelldiodenkennlinien und Maximalleistungen
Diodenvorwärtsspannung (Anmerkung 3) VSD IST =1A, VGS =0V     1 V

 

 
Anmerkung:
1. sich wiederholende Bewertung: Impulsbreite begrenzt durch maximale Grenzschichttemperatur.
2. Oberflächen angebracht FR4 am Brett, T3 < 5="" sec=""> . Impuls-Test: Impuls Width≤300µs, Arbeitszyklus ≤ 2%.
4. mit Absicht, nicht ausgesetzt garantiert die Produktionsprüfung.
 
 
 

Größe und Tag:

ultra niedriger Schwellenspannung mosfet,

hoher mosfet Strom der Niederspannung,

Niederspannung 5.8A Mosfet

Kontaktdaten
Mehr Niederspannung MOSFET
China Gute Qualität schnelle WiederaufnahmeGleichrichterdiode Fournisseur. © 2019 - 2021 fastrectifierdiode.com . All Rights Reserved.