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Herkunftsort: | CHINA |
---|---|
Markenname: | Huixin |
Zertifizierung: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
Modellnummer: | BSS138K |
Min Bestellmenge: | 3000pcs |
Preis: | Negotiable |
Verpackung Informationen: | 3000pcs/Spule |
Lieferzeit: | 4-5weeks |
Zahlungsbedingungen: | T/T, MoneyGram |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1 Milliarde Stücke Monat |
Art: | BSS138K-N-Kanal | Material: | Silikon |
---|---|---|---|
Paket: | SOT-23 | Abfluss-Quellspannung: | 50V |
Ununterbrochener Abfluss-Strom: | 0.22A | Verlustleistung: | 0.35W |
MPQ: | 3000pcs | Eigenschaften: | Schroff und zuverlässig |
Markieren: | Energie MOSFET des Silikon-0.22A,Energie MOSFET des Silikon-0.35W,MOSFET Kanal BSS138K N |
Parameter | Symbol | Grenze | Einheit | ||||||||||
Abfluss-Quellspannung | VDS | 50 | V | ||||||||||
Tor-Quellspannung | VGS | ±20 | V | ||||||||||
Lassen Sie Gegenwärtig-ununterbrochenes ab | Identifikation | 0,22 | |||||||||||
Abfluss Gegenwärtig-pulsiert (Anmerkung 1) | IDM | 0,88 | |||||||||||
Höchstleistungs-Ableitung | PD | 0,35 | W | ||||||||||
Funktionierende Kreuzung und Lagertemperaturbereich | TJ, TSTG | -55 bis 150 | ℃ |
Parameter | Symbol | Bedingung | Minute | Art | Maximal | Einheit | |||||||
Weg von den Eigenschaften | |||||||||||||
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | BVDSS | VGS =0V IDENTIFIKATION =250ΜA | 50 | 65 | - | V | |||||||
Nulltor-Spannungs-Abfluss-Strom | IDSS | VDS =50V, VGS =0V | - | - | 1 | μA | |||||||
Tor-Körper-Durchsickern-Strom | IGSS | VGS =±10V, VDS =0V | - | ±110 | ±500 | Na | |||||||
VGS =±12V, VDS =0V | - | ±0.3 | ±10 | MA | |||||||||
Auf Eigenschaften (Anmerkung 3) | |||||||||||||
Tor-Schwellen-Spannung | VGS (Th) | VDS =VGS, IDENTIFIKATION =250ΜA | 0,6 | 1,1 | 1,6 | V | |||||||
Abfluss-Quelldurchlasswiderstand | RDS (AN) | VGS =5V, IDENTIFIKATION =0.2A | - | 1,3 | 3 | Ω | |||||||
VGS =10V, IDENTIFIKATION =0.22A | - | 1 | 2 | Ω | |||||||||
Vorwärtstransconductance | gFS | VDS =10V, IDENTIFIKATION =0.2A | 0,2 | - | - | S | |||||||
Dynamische Eigenschaften (Note4) | |||||||||||||
Eingegebene Kapazitanz | Clss | VDS =25V, VGS =0V, F=1.0MHz | - | 30 | - | PF | |||||||
Ausgangskapazität | Coss | - | 15 | - | PF | ||||||||
Rückübergangskapazitanz | Crss | - | 6 | - | PF | ||||||||
Schaltcharakteristik (Anmerkung 4) | |||||||||||||
Einschaltverzögerungs-Zeit | TD (an) | VDD =30V, IDENTIFIKATION =0.22A VGS =10V, RGEN =6Ω | - | - | 5 | nS | |||||||
Drehung-auf Anstiegszeit | tr | - | - | 5 | nS | ||||||||
Abschaltverzögerungs-Zeit | TD (weg) | - | - | 60 | nS | ||||||||
Drehungs--Wegabfallzeit | tf | - | - | 35 | nS | ||||||||
Gesamttor-Gebühr | Qg | VDS =25V, IDENTIFIKATION =0.2A, VGS =10V |
- | - | 2,4 | nC | |||||||
Abfluss-Quelldiodenkennlinien | |||||||||||||
Dioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 3) | VSD | VGS =0V, IST =0.22A | - | - | 1,3 | V | |||||||
Dioden-vorderesgegenwärtiges (Anmerkung 2) | IST | - | - | 0,22 |