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Herkunftsort: | CHINA |
---|---|
Markenname: | Huixin |
Zertifizierung: | ISO9001, ISO4001, IATF16949, UL |
Modellnummer: | BSS138 |
Min Bestellmenge: | 3000pcs |
Preis: | Negotiable |
Verpackung Informationen: | 3000pcs/Spule |
Lieferzeit: | 4-5weeks |
Zahlungsbedingungen: | T/T, MoneyGram |
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: | 1 Milliarde Stücke Monat |
Art: | N-Kanal 50-V (D-S) MOSFET | Material: | Silikon |
---|---|---|---|
Paket: | SOT-23 | Abfluss-Quellspannung: | 50V |
Ununterbrochener Abfluss-Strom: | 0.22A | Verlustleistung: | 0.35W |
Anwendungen: | Treiber: Relais, Magnete, Lampen, Hämmer, Displays, Speicher, Transistoren usw. | Eigenschaften: | Schroff und zuverlässig |
Markieren: | Transistor Mosfets des Feld-BSS138,Transistor Mosfets des Feld-0.22A,Mosfet Kanal 0.35W N |
Parameter | Symbol | Wert | Einheit | ||||||||||||||||||||||||||||||
Abfluss-Quellspannung | VDS | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
Ununterbrochene Tor-Quellspannung | VGSS | ±20 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Ununterbrochener Abfluss-Strom | Identifikation | 0,22 | |||||||||||||||||||||||||||||||
Verlustleistung | PD | 0,35 | W | ||||||||||||||||||||||||||||||
Thermischer Widerstand von der Kreuzung zu umgebendem | RθJA | 357 | ℃/W | ||||||||||||||||||||||||||||||
Betriebstemperatur | Tj | 150 | ℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||
Lagertemperatur | Tstg | -55 ~+150 |
Parameter | Symbol | Testbedingung | Minute | Art | Maximal | Einheiten | ||||||||||||||||||||||||||||
Weg von den Eigenschaften | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Abfluss-Quelldurchbruchsspannung | V (BR) DSS | VGS = 0V, IDENTIFIKATION =250µA | 50 | V | ||||||||||||||||||||||||||||||
Tor-Körperdurchsickern | IGSS | VDS =0V, VGS =±20V | ±100 | Na | ||||||||||||||||||||||||||||||
Nulltorspannungs-Abflussstrom | IDSS | VDS =50V, VGS =0V | 0,5 | µA | ||||||||||||||||||||||||||||||
VDS =30V, VGS =0V | 100 | Na | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Auf Eigenschaften | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Tor-Schwellenspannung (Anmerkung 1) | VGS (Th) | VDS =VGS, IDENTIFIKATION =1MA | 0,80 | 1,50 | V | |||||||||||||||||||||||||||||
Statischer Abflussquellaufwiderstand (Anmerkung 1) | RDS (an) | VGS =10V, IDENTIFIKATION =0.22A | 3,50 | Ω | ||||||||||||||||||||||||||||||
VGS =4.5V, IDENTIFIKATION =0.22A | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Vorwärtstransconductance (Anmerkung 1) | gFS | VDS =10V, IDENTIFIKATION =0.22A | 0,12 | S | ||||||||||||||||||||||||||||||
Dynamische Eigenschaften (Anmerkung 2) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Eingegebene Kapazitanz | Ciss | VDS =25V, VGS =0V, f=1MHz | 27 | PF | ||||||||||||||||||||||||||||||
Ausgangskapazität | Coss | 13 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Rückübergangskapazitanz | Crss | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Schaltcharakteristik | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Einschaltverzögerungszeit (Anmerkung 1,2) | TD (an) | VDD =30V, VDS =10V, IDENTIFIKATION =0.29A, RGEN =6Ω | 5 | ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
Anstiegszeit (Anmerkung 1,2) | tr | 18 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Abschaltverzögerungszeit (Anmerkung 1,2) | TD (weg) | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Abfallzeit (Anmerkung 1,2) | tf | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
Abfluss-Quellkörper-Diodenkennlinien | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
Körperdioden-Vorwärtsspannung (Anmerkung 1) | VSD | IST =0.44A, VGS = 0V | 1,4 | V |